Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP2N80K5

STP2N80K5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ K5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
1.3 A
Pulsed drain current
8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP2N80K5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ K5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current1.3 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation42 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance4.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W

Документация

Документы пока не предоставлены.