Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP28N65M2

STP28N65M2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ M2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
13 A
Pulsed drain current
80 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP28N65M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ M2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current13 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation170 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge35nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A

Документация

Документы пока не предоставлены.