Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP28N60M2

STP28N60M2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ || Plus
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
14 A
Power dissipation
170 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP28N60M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ || Plus
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current14 A
Power dissipation170 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W

Документация

Документ производителя