Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP26NM60N

STP26NM60N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ II
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
12.6 A
Power dissipation
140 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 87 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 206,18 ₽

Сумма · с НДС 22%1 206,18 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 206,18 ₽
от 10845,27 ₽
от 25769,29 ₽
от 50723,71 ₽
от 100687,62 ₽
от 150668,62 ₽
от 250647,73 ₽
от 1000605,94 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP26NM60N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ II
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current12.6 A
Power dissipation140 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance135 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 600V; 12.6A; 140W

Документация

Документ производителя