Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP26N60DM6

STP26N60DM6
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ DM6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
11 A
Pulsed drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP26N60DM6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ DM6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current11 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation130 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.195 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge24nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A

Документация

Документ производителя