Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP25N60M2-EP

STP25N60M2-EP
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ M2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
11.3 A
Pulsed drain current
72 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP25N60M2-EP
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ M2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current11.3 A
Pulsed drain current72 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance188 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge29nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A

Документация

Документы пока не предоставлены.