STMICROELECTRONICS
Транзистор STP24NM60N
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- MDmesh™ II
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 650 V
- Drain current
- 11 A
- Pulsed drain current
- 68 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 148 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%620,63 ₽
Сумма · с НДС 22%620,63 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 620,63 ₽ | |
| от 5 | 490,87 ₽ | |
| от 10 | 428,80 ₽ | |
| от 25 | 353,57 ₽ | |
| от 50 | 314,08 ₽ | |
| от 100 | 304,68 ₽ | |
| от 500 | 285,87 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STP24NM60N |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | MDmesh™ II |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650 V |
| Drain current | 11 A |
| Pulsed drain current | 68 A |
| Power dissipation | 125 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.19 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 44nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.