Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP23NM50N

STP23NM50N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ II
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
11 A
Pulsed drain current
68 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP23NM50N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ II
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current11 A
Pulsed drain current68 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 500V; 11A; Idm: 68A

Документация

Документ производителя