Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP21N65M5

STP21N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ M5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
10.7 A
Pulsed drain current
68 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP21N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ M5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current10.7 A
Pulsed drain current68 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance179 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge50nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 10.7A; Idm: 68A

Документация

Документы пока не предоставлены.