STMICROELECTRONICS
Транзистор STP20NM60
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- MDmesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 12.6 A
- Pulsed drain current
- 80 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 45 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 157,11 ₽
Сумма · с НДС 22%1 157,11 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 157,11 ₽ | |
| от 10 | 757,66 ₽ | |
| от 50 | 671,39 ₽ | |
| от 100 | 618,88 ₽ | |
| от 250 | 553,24 ₽ | |
| от 500 | 504,48 ₽ | |
| от 750 | 476,35 ₽ | |
| от 1000 | 455,72 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STP20NM60 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | MDmesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 12.6 A |
| Pulsed drain current | 80 A |
| Рассеиваемая мощность | 192 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.29 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 54nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.