Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP20NM50FD

STP20NM50FD
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
FDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
14 A
Pulsed drain current
80 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP20NM50FD
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияFDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current14 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation192 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.25 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge53nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W

Документация

Документы пока не предоставлены.