Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP20N65M5

STP20N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ V
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11.3 A
Power dissipation
130 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 27 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%790,40 ₽

Сумма · с НДС 22%790,40 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1790,40 ₽
от 10426,33 ₽
от 50405,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP20N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ V
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current11.3 A
Power dissipation130 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD

Документация

Документ производителя