Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP19NM50N

STP19NM50N
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ II
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
10A
Power dissipation
110W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP19NM50N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ II
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current10A
Power dissipation110W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.2Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 500V; 10A; 110W

Документация

Документ производителя