Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP18NM80

STP18NM80
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
10.71 A
Power dissipation
190 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 101 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 616,65 ₽

Сумма · с НДС 22%1 616,65 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 616,65 ₽
от 51 292,19 ₽
от 101 139,39 ₽
от 25975,27 ₽
от 50882,84 ₽
от 100818,70 ₽
от 150790,40 ₽
от 250762,11 ₽
от 500731,92 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP18NM80
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current10.71 A
Power dissipation190 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.295 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO220-3

Документация

Документ производителя