Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP18N65M5

STP18N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ M5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
9.4 A
Pulsed drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP18N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ M5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current9.4 A
Pulsed drain current60 A
Рассеиваемая мощность110 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.22 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge31nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A

Документация

Документ производителя