Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP16N65M5

STP16N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ V
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
7.3A
Power dissipation
25W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP16N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ V
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current7.3A
Power dissipation25W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance279mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 25W; TO220-3

Документация

Документ производителя