Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP15N60M2-EP

STP15N60M2-EP
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ M2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7 A
Pulsed drain current
44 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP15N60M2-EP
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ M2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current7 A
Pulsed drain current44 A
Рассеиваемая мощность110 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance378 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge17nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W

Документация

Документы пока не предоставлены.