Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP150N10F7AG

STP150N10F7AG
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
STripFET™ F7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
110 A
Pulsed drain current
440 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP150N10F7AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSTripFET™ F7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current110 A
Pulsed drain current440 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge127nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A

Документация

Документы пока не предоставлены.