Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP13NM60N

STP13NM60N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ II
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
6.93 A
Рассеиваемая мощность
90 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 88 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%963,43 ₽

Сумма · с НДС 22%963,43 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1963,43 ₽
от 10601,67 ₽
от 25549,19 ₽
от 50507,96 ₽
от 100468,59 ₽
от 500380,50 ₽
от 1000343,01 ₽
от 2000303,65 ₽
от 2500292,40 ₽
от 3000283,03 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP13NM60N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ II
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current6.93 A
Рассеиваемая мощность90 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.36 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.93A; 90W

Документация

Документ производителя