Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP13N95K3

STP13N95K3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMESH3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
950 V
Drain current
6 A
Pulsed drain current
40 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP13N95K3
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMESH3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage950 V
Drain current6 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation190 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.85 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge51nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 950V; 6A; Idm: 40A

Документация

Документы пока не предоставлены.