Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP12NK80Z

STP12NK80Z
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
6.6 A
Рассеиваемая мощность
190 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 203 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%628,96 ₽

Сумма · с НДС 22%628,96 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1628,96 ₽
от 10437,30 ₽
от 25414,97 ₽
от 50396,36 ₽
от 100379,61 ₽
от 200364,72 ₽
от 500344,25 ₽
от 750334,95 ₽
от 1000329,37 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP12NK80Z
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current6.6 A
Рассеиваемая мощность190 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.75 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD

Документация

Документ производителя