STMICROELECTRONICS
Транзистор STP12NK30Z
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 300 V
- Drain current
- 5.6 A
- Рассеиваемая мощность
- 90 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 143 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%540,11 ₽
Сумма · с НДС 22%540,11 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 540,11 ₽ | |
| от 10 | 298,19 ₽ | |
| от 50 | 213,79 ₽ | |
| от 100 | 195,04 ₽ | |
| от 500 | 176,29 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STP12NK30Z |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 300 V |
| Drain current | 5.6 A |
| Рассеиваемая мощность | 90 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.4 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.