Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP12N65M5

STP12N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ V
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
5.4A
Power dissipation
70W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP12N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ V
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current5.4A
Power dissipation70W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.43Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3

Документация

Документ производителя