Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP11NM80

STP11NM80
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
11 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP11NM80
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current11 A
Power dissipation150 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3

Документация

Документ производителя