STMICROELECTRONICS
Транзистор STP11NM60FD
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- FDmesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 7 A
- Рассеиваемая мощность
- 160 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 174 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 188,90 ₽
Сумма · с НДС 22%1 188,90 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 188,90 ₽ | |
| от 10 | 754,94 ₽ | |
| от 25 | 701,14 ₽ | |
| от 50 | 659,90 ₽ | |
| от 100 | 624,04 ₽ | |
| от 500 | 537,96 ₽ | |
| от 1000 | 498,51 ₽ | |
| от 1250 | 487,75 ₽ | |
| от 2000 | 462,65 ₽ | |
| от 2500 | 448,30 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STP11NM60FD |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | FDmesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 7 A |
| Рассеиваемая мощность | 160 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.45 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.