Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP11NM60FD

STP11NM60FD
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
FDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7 A
Рассеиваемая мощность
160 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 174 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 188,90 ₽

Сумма · с НДС 22%1 188,90 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 188,90 ₽
от 10754,94 ₽
от 25701,14 ₽
от 50659,90 ₽
от 100624,04 ₽
от 500537,96 ₽
от 1000498,51 ₽
от 1250487,75 ₽
от 2000462,65 ₽
от 2500448,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP11NM60FD
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияFDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current7 A
Рассеиваемая мощность160 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3

Документация

Документ производителя