STMICROELECTRONICS
Транзистор STP11NK50Z
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 500 V
- Drain current
- 6.3 A
- Рассеиваемая мощность
- 125 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 75 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%680,81 ₽
Сумма · с НДС 22%680,81 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 680,81 ₽ | |
| от 10 | 438,31 ₽ | |
| от 25 | 404,18 ₽ | |
| от 50 | 380,82 ₽ | |
| от 100 | 350,29 ₽ | |
| от 250 | 312,56 ₽ | |
| от 500 | 287,41 ₽ | |
| от 1000 | 262,26 ₽ | |
| от 1250 | 255,08 ₽ | |
| от 2000 | 238,91 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STP11NK50Z |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 500 V |
| Drain current | 6.3 A |
| Рассеиваемая мощность | 125 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.52 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.