Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP11N65M2

STP11N65M2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ M2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
4.4A
Pulsed drain current
28A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP11N65M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ M2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current4.4A
Pulsed drain current28A
Power dissipation85W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.68Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge12.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A

Документация

Документы пока не предоставлены.