Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP11N60DM2

STP11N60DM2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ DM2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
6.3 A
Pulsed drain current
40 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP11N60DM2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ DM2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current6.3 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation110 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.42 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge16.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A

Документация

Документы пока не предоставлены.