Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP110N10F7

STP110N10F7
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
STripFET™ F7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
76 A
Pulsed drain current
415 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP110N10F7
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSTripFET™ F7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current76 A
Pulsed drain current415 A
Power dissipation150 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge72nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A

Документация

Документы пока не предоставлены.