Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP10NK60Z

STP10NK60Z
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
5.7 A
Рассеиваемая мощность
115 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 767 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%655,01 ₽

Сумма · с НДС 22%655,01 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1655,01 ₽
от 5537,78 ₽
от 10489,40 ₽
от 25429,85 ₽
от 50394,50 ₽
от 100351,70 ₽
от 200318,20 ₽
от 500280,99 ₽
от 1000256,80 ₽
от 2000232,60 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP10NK60Z
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current5.7 A
Рассеиваемая мощность115 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.75 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD

Документация

Документ производителя