Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP10N60M2

STP10N60M2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ M2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
4.9A
Pulsed drain current
30A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP10N60M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ M2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current4.9A
Pulsed drain current30A
Power dissipation85W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.6Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge13.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A

Документация

Документы пока не предоставлены.