Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP10LN80K5

STP10LN80K5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ K5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
32 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP10LN80K5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ K5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5 A
Pulsed drain current32 A
Power dissipation110 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.63 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge15nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 5A; Idm: 32A; 110W

Документация

Документы пока не предоставлены.