Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP100N10F7

STP100N10F7
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
STripFET™ F7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
70A
Pulsed drain current
320A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP100N10F7
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySTripFET™ F7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current70A
Pulsed drain current320A
Power dissipation150W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge61nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A

Документация

Документы пока не предоставлены.