Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STN3P6F6

STN3P6F6
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-2 A
Рассеиваемая мощность
2.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 190 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%261,27 ₽

Сумма · с НДС 22%261,27 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1261,27 ₽
от 10124,33 ₽
от 5098,92 ₽
от 10095,32 ₽
от 50090,45 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTN3P6F6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-2 A
Рассеиваемая мощность2.6 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD

Документация

Документ производителя