STMICROELECTRONICS
Транзистор STN3N40K3
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 400 V
- Drain current
- 1 A
- Power dissipation
- 3.3 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 9 449 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%242,75 ₽
Сумма · с НДС 22%242,75 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 242,75 ₽ | |
| от 10 | 175,32 ₽ | |
| от 50 | 122,34 ₽ | |
| от 100 | 105,19 ₽ | |
| от 250 | 87,66 ₽ | |
| от 500 | 77,64 ₽ | |
| от 1000 | 69,74 ₽ | |
| от 2000 | 63,96 ₽ | |
| от 4000 | 59,15 ₽ | |
| от 12000 | 53,94 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STN3N40K3 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 400 V |
| Drain current | 1 A |
| Power dissipation | 3.3 W |
| Корпус | SOT223 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 3.4 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1A; 3.3W; SOT223; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.