Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STN1NK60Z

STN1NK60Z
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
189 mA
Power dissipation
3.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 843 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%155,76 ₽

Сумма · с НДС 22%155,76 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1155,76 ₽
от 10114,73 ₽
от 20107,70 ₽
от 50102,19 ₽
от 10096,30 ₽
от 20086,62 ₽
от 50074,84 ₽
от 100067,05 ₽
от 200060,21 ₽
от 400053,95 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTN1NK60Z
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current189 mA
Power dissipation3.3 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD

Документация

Документ производителя