Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STN1HNK60

STN1HNK60
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
0.4 A
Power dissipation
3.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 324 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%349,51 ₽

Сумма · с НДС 22%349,51 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1349,51 ₽
от 10217,49 ₽
от 20183,68 ₽
от 50148,92 ₽
от 100129,36 ₽
от 500100,48 ₽
от 100092,70 ₽
от 200086,81 ₽
от 400082,44 ₽
от 1200077,69 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTN1HNK60
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current0.4 A
Power dissipation3.3 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance8.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD

Документация

Документ производителя