Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STL4N10F7

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
4.5 A
Pulsed drain current
18 A
Рассеиваемая мощность
35.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTL4N10F7
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current4.5 A
Pulsed drain current18 A
Рассеиваемая мощность35.7 W
КорпусPowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance70 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 35.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.