Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STL3NM60N

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
2.2 A
Pulsed drain current
2.6 A
Power dissipation
22 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTL3NM60N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current2.2 A
Pulsed drain current2.6 A
Power dissipation22 W
КорпусPowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance1.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 2.6A; 22W

Документация

Документы пока не предоставлены.