Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STL25N60M2-EP

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
16 A
Pulsed drain current
64 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTL25N60M2-EP
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current16 A
Pulsed drain current64 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусPowerFLAT 8x8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.205 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A; 125W

Документация

Документы пока не предоставлены.