Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STI18N65M2

STI18N65M2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
12 A
Pulsed drain current
48 A
Power dissipation
110 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTI18N65M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current12 A
Pulsed drain current48 A
Power dissipation110 W
КорпусI2PAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.33 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge20nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.