STMICROELECTRONICS

Транзистор STH6N95K5-2

H2PAK-2Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950 V
Drain current: 6 A
Pulsed drain current: 24 A
Power dissipation: 110 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	STH6N95K5-2
Производитель	STMICROELECTRONICS
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	950 V
Drain current	6 A
Pulsed drain current	24 A
Power dissipation	110 W
Корпус	H2PAK-2
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	1.25 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	13nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 110W; H2PAK-2

Документация

Документы пока не предоставлены.