Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STH315N10F7-6

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
STripFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
180 A
Power dissipation
315 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTH315N10F7-6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSTripFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current180 A
Power dissipation315 W
КорпусTO263-7
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge180nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 180A; 315W

Документация

Документы пока не предоставлены.