Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STH315N10F7-2

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
315 W
Корпус
H2PAK-2
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTH315N10F7-2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current180 A
Рассеиваемая мощность315 W
КорпусH2PAK-2
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge180nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 315W; H2PAK-2

Документация

Документы пока не предоставлены.