Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STH30N65DM6-7AG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ DM6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
18 A
Pulsed drain current
112 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTH30N65DM6-7AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ DM6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current18 A
Pulsed drain current112 A
Power dissipation223 W
КорпусH2PAK7
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.115 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A

Документация

Документ производителя