STMICROELECTRONICS
Транзистор STH2N120K5-2AG
H2PAK-2Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 1.5 A
- Pulsed drain current
- 2.5 A
- Power dissipation
- 60 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | STH2N120K5-2AG |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 1.5 A |
| Pulsed drain current | 2.5 A |
| Power dissipation | 60 W |
| Корпус | H2PAK-2 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 10 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 5.3nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1.5A; Idm: 2.5A; 60W; H2PAK-2
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.