STMICROELECTRONICS
Транзистор STH12N120K5-2
H2PAK-2Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 7.6 A
- Pulsed drain current
- 48 A
- Рассеиваемая мощность
- 250 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | STH12N120K5-2 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 7.6 A |
| Pulsed drain current | 48 A |
| Рассеиваемая мощность | 250 W |
| Корпус | H2PAK-2 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 690 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 7.6A; Idm: 48A; 250W; H2PAK-2
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.