Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGYA50M120DF3

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
50 A
Power dissipation
535 W
Корпус
MAX247
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTGYA50M120DF3
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current50 A
Power dissipation535 W
КорпусMAX247
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge194nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247

Документация

Документы пока не предоставлены.