Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGYA50H120DF2

STGYA50H120DF2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
50 A
Power dissipation
535 W
Корпус
MAX247
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGYA50H120DF2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current50 A
Power dissipation535 W
КорпусMAX247
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.21µC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247

Документация

Документ производителя