Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGYA120M65DF2AG

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
120 A
Power dissipation
625 W
Корпус
MAX247
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGYA120M65DF2AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current120 A
Power dissipation625 W
КорпусMAX247
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current360 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge420nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247; automotive industry

Документация

Документ производителя